Search In this Thesis
   Search In this Thesis  
العنوان
Band structure calculations for semiconductor nanostructure materials /
المؤلف
Abd El-Muti, El-Kenany Brens El-Kenany.
هيئة الاعداد
باحث / الكناني برنس الكناني عبدالمعطي
مشرف / عبدالسلام محمد العبسي
مشرف / عبدالرازق عوض دغيدي
مشرف / هشام جمعه عبدالواحد
الموضوع
Physics. Semiconductor.
تاريخ النشر
2010.
عدد الصفحات
157 p. :
اللغة
الإنجليزية
الدرجة
ماجستير
التخصص
الفيزياء النووية والطاقة العالية
تاريخ الإجازة
01/01/2010
مكان الإجازة
جامعة المنصورة - كلية العلوم - Department of Physics
الفهرس
Only 14 pages are availabe for public view

from 207

from 207

Abstract

في هذه الرسالة تم حساب شرائط الطاقة لنوعين من أشباه الموصلات أحدهما ذو تركيب ماسي (diamond structure) مثل السيلكون (Si) والجرمانيوم (Ge) والاخر ذو تركيب زنكي (Zinc-Blend Structure) مثل الجاليوم أرصنيد (GaAs) والالومنيوم أرصنيد (AlAs) و الجاليوم فسفور(GaP) والانديوم فسفور (InP)باستخدام .(Local empirical pseudopotential method) في هذه النظريه يتم فيها اختيار قيم لمعاملات التكوين ((form factors لتعطي أفضل تطابق مع القيم العمليه لفجوات الطافه (energy gaps) عند بعض النقاط عالية التماثل مثل( ( L, Γ, X داخل منطقة البربليون (brillouin zone). أولا: تم حساب فجوات الطاقه لأشباه الموصلات المذكوره عند درجة حرارة الغرفه وعند الضغط العادي وقد أظهرت النتائج تطابق ممتاز مع القياسات المعمليه. ثانيا: تم دراسة تأثير كل من الحراره والصغط علي فجوات الطاقه لأشباه الموصلات المذكوره وقد تم حساب قيم هذه الفجوات كداله لكل من الحراره والصغط وأظهرت النتائج المحسوبه تطابقا ممتازا مع نظيراتها المعمليه والمنشوره.