الفهرس 
INTRODUCTIONOnly 14 pages are availabe for public view
 |  | from | 174 |  |  |
| | | from | 174 | | |
Abstract
ان التقدم والتطور السريع فى النبائط الميكروالكترونية يرجع الى تصغير ابعاد هذه النبائط وبعد قانون مورز فان هذا التصغير فى الابعاد لايمكنه الاستمرار. حيث أنه توجد بعض التحديات والعوائق لتصغير أبعاد هذه النبائط حتى تصل الى نطاق النانوميتر. ولذلك فان الهدف الاساسى هو التوصل الى عمل نبائط ميكروالكترونية جديدة ذات ابعاد متناهية فى الصغر تمكننا من الدخول الى نطاق النانوتكنولوجى. وهذه النبائط يبنى عملها على نظرية ميكانيكا الكم وعلى ظاهرة منع الالكترونات نظرا لابعادها المتناهية فى الصغر. وان تكنولوجيا ترانزستور اختراق الالكترون الواحد لهى واحدة من هذه النبائط حيث تقدم امكانية أكبر لتصغير أبعاد المكونات الالكترونية الحديثة مقارنة بالامكانيات المتوقعة لتكنولوجيا السيليكون المعروفة. وهذا الترانزستور يتميز بصغر الحجم وقلة القدرة المفقودة والكثافة العالية. وهذا البحث يقترح تنفيذ دوائر باستخدام ترانزستور الالكترون الواحد الأساسية وكيفية استخدام هذه الدوائر فى تنفيذ دوائر المحولات الرقمية الى تماثلية والتماثلية الى رقمية ذات أعداد بت كبيرة وباستخدام تقنيات عديدة. وسيتضمن ذلك تفاصيل هذه الدوائر بما فيها قيم المكونات المستخدمة والنتائج المتوقعة لاستخدام هذه الدوائر باستخدام برنامج المحاكاة على الكمبيوتر(سيمون 2). ثم يتم مناقشة امكانية تكبير هذه الدوائر لتنفيذ محولات ذات أعداد بت أكبر ثم تم عمل مقارنة لأداء هذه التقنيات.