الفهرس 
Development and simple theory of field –effect devices
Hot electron phenomenaOnly 14 pages are availabe for public view
 |  | from | 233 |  |  |
| | | from | 233 | | |
Abstract
ان فكرة التحكم في التوصل السطحي لطبقة موصلة رقيقة بواسطة مجال عمودي بغية الحصول على تكبير في فكرة قديمة اقترحها ليلنفيلد خلال الفترة الواقعة مابين عامي 1925 – 1935. وكان ذلك قبل ان يكتشف كل من باردين وبراتين خاصية الترانزستور في عام 1948. لم يكتب لتلك الفكرة النجاح في ذلك الوقت بسبب عدم توفر المعلومات الكافية عن طبيعة هذا التوصل السطحي, بالاضافة الى ضعف وسائل التصميم والتحكم في مثل هذه التجارب. ولقد غطى اختراع الترانزستور ذي نقطة الاتصال وبعد ذلك ترانزستور الوصلة على تطوير فكرة ترانزستور المجال المؤثر, واستمرت هذه الحال حتى عام 1952, حيث نجح شوكلي في تجربة اول ترانزستور من هذا النوع مؤلف من قناة للتوصيل بعيدة عن سطح شبه الموصل ومحصورة شبه موصلين من النوع N وP مطبق عليهما جهد تغذية عكسي.
وعرف هذا النوع من الترانزستور باسم الترانزستور المجال المؤثر ذو الوصلة (JFET) حيث ثبت نجاحه في بعض التطبيقات الهامة وخاصة بعد ان امكن تطوير تصنيعه حاليا باستخدام وسائل تكنولوجية حديثة. ولقد امكن صنع ترانزستور المجال المؤثر السطحي بعد تفهم ودراسة عميقة لتأثيرات السطح وبعد اختراع التغطية السطحية بواسطة أكسيد السليكون بعملية التأكسد الحراري ومن ثم عرف هذا الترانزستور باسم معدن – عازل (مؤكسد) – شبه موصل MOST. واصبح هذا النوع من الترانزستورات منذ سنوات السنوات القليلة الماضية محل الاهتمام الكبير ومحط الكثير من الابحاث والدراسات والتي ساعدت في تقدم طرق تصنيعه واوضحت كثيرا من الاسس النظرية لطبيعة عمله. ومع ذلك فان هناك كثير من القضايا النظرية التي تحتاج الى دراسة ومعرفة اعمق
وتهدف هذه الدراسة الى توسيع رقعة المعرفة النظرية حول النوعين المذكورين من ترانزستورات المجال المؤثر (JEFT & MOST), وقد اخذ بعين الاعتبار العوامل الرئيسية الذاتية على خواص الترانزستورين ومن ثم معرفة حدود تطبيق هذه المعلومات.