الفهرس 
MM-Waves Power Ampli ers: Principles and ImplementationOnly 14 pages are availabe for public view
 |  | from | 32 |  |  |
| | | from | 32 | | |
Abstract
تتكون هذه الرسالة من ستة فصول على النحو المبين أدناه:
الفصل الاول
يعرض الفصل الأول لمقدمة عن تصميم مكبرات القدرة الملليمترية مع اعطاء وصفا موجزا عن مخطط ومسلسل
الأطروحة, واهم المساهمات بها.
الفصل الثاني
يعرض الفصل الثاني دراسة لعدة فئات من مكبرات القدرة عند الترددات الملليمترية ,مع الأخذ في الاعتبار تحديات
تصميم وتنفيذ المكونات الفعالة وغير الفعالة. كما يتم عرض دراسة استقصائية عن مكبرات القدرة عند الترددات
عند تردد 60 جيجاهرتز جيجاهرتز CMOS الملليمترية الموجودة. اخيرا يتم تصميم مكبر قدرة خطي من فئة
% و ب 8 dBm بحيز ترددي 5 جيجاهرتز بكسب في القدرة 52 ديسيبل و قدرة خارجة مشبعة أكبر من 15
كفاءة في القدرة المضافة.
الفصل الثالث
يعرض الفصل الثالث لمشكلة انخفاض الكفاءة عند عشرات الجيجاهرتز, حيث تم دراسة آليات الخسارة لمكبرات
القدرة من الفئة ه عند الترددات العالية. تم تحليل السلوك المفتاحي لدراسة التناقض بين المعادلات المتعارف عليها
وقيم التصميم المثلى كلما زاد التردد. تم التأكد من النتائج التحليلية من خلال المحاكاه. بالإضافة إلى ذلك, تم اقتراح
طريقة للتصميم مبنية على تحليل الخسارة ودورة العمل الفعلية الخارجية لتعزيز كفاءة القدرة المضافة لمكبرات
القدرة الملليمترية. تم استخدام طريقة التصميم لمقارنة تكنولوجيات مختلفة تشمل ال, 130 , ال, 90 و ال 65
نانومتر. تحقق التكنولوجيات الأحدث قيم أعلى لكفاءة القدرة المضافة, فقط عند الترددات الملليمترية. تثبت المحاكاه
زيادة كفاءة القدرة المضافة من% 31 إلى% 04 عند استخدام طريقة التصميم المقترحة عند تردد 60 جيجاهرتز
.CMOS. باستخدام تكنولوجيا ال 65 نانو متر
أخيرا , تم دراسة التخطيط لمكبرات القدرة عند الترددات الملليمترية بإستخدام تقنية الطور التخارجي. حيث تم اقتراح مرسل خطي عند
تردد 60 جيجاهرتز للحفاظ على الكفاءة بخطية جيدة. تم تصميم الدوائر الكهربية للمرسل باستخدام تكنولوجيا 65 نانومتر
17.7 من القدرة الخارجة الخطية ب % 35 كفاءة قصوى في القدرة dBm حيث تبين المحاكاه أن مكبر القدرة يحقق CMOS .
المضافة عند استخدام وضع الطور التخارجي.
كلية الهندسة - جامعة عين شمس