Search In this Thesis
   Search In this Thesis  
العنوان
The implementation of nano adders using optimized single-electron inverter-based logic gates /
المؤلف
Hassan, Hala Mossad Ibrahim.
هيئة الاعداد
باحث / هالة مسعد ابراهيم حسن
مشرف / عبدالفتاح ابراهيم عبدالفتاح
مشرف / سامح ابراهيم ريحان
مناقش / احمد شعبان مدين سمرة
مناقش / فتحي عبدالفتاح فرج
الموضوع
Linear threshold gate. Single-electron inverter. Single-electron nano-devices.
تاريخ النشر
2014.
عدد الصفحات
113 p. :
اللغة
الإنجليزية
الدرجة
ماجستير
التخصص
الهندسة الكهربائية والالكترونية
تاريخ الإجازة
1/1/2014
مكان الإجازة
جامعة المنصورة - كلية الهندسة - Electronics and Communications Engineering Department.
الفهرس
Only 14 pages are availabe for public view

from 147

from 147

Abstract

إن تكنولوجيا إختراق الإلكترون الواحد (النانومترية) تقدم إمكانية أكبر لتصغير أبعاد المكونات الإلكترونية الحديثة مقارنة بالإمكانيات المتوقعة لتكنولوجيا السيليكون المعروفة (مثل تكنولوجيا معدن-أكسيد-شبه موصل المزدوجة). إن تكنولوجيا إختراق الإلكترون الواحد تعطى القدرة على التحكم فى حركة الإلكترونات فى الدوائر المصممة. إن بوابات النفى من نوع العاكس ذات الإلكترون الواحد تعد من أهم الدوائر الأساسية ذات الإلكترون الواحد.إن ترانزستور الإلكترون الواحد من بين أهم النبائط النانوية الأساسية ذات الإلكترون الواحد وتم توضيح تحليل العاكس بالتفاصيل. وفى هذا البحث تم إستخدام هذه النبائط النانوية الأساسية ذات الإلكترون الواحد فى تصميم البوابات المنطقية ودوائر الجمع كما يتم عرض البوابات المنطقية المستندة إلى العاكس بتحليل مفصل. كما تم تقديم دوائر واحد بت للجمع باستخدام دوائر الإلكترون الواحد. وقد تضمنت هذه التصميمات،الرسوم التوضيحية المفصلة للدوائر المصممة بالإضافة إلى نتائج محاكاة دوائر واحد بت للجمع المصممة باستخدام برنامج محاكاة الدوائر ذات الإلكترون الواحد وهو برنامج سيمون 2,0. وتشمل نتائج محاكاة الدوائر المصممة المتضمنة فى هذا البحث: إشارات الدخل والتحكم والخرج –الرسوم الدالة على مدى إستقرار الدائرة. كما تم تقديم حسابات الطاقة المستهلكة والوقت الذى تستغرقه الإشارات فى المرور من أطراف الدخل إلى أطراف الخرج للدوائر المصممة.
وتتكون الرسالة من ستة فصول مُنظَّمةُ كالتّالي:
• الفصل الأول يبدأ بمقدمة عامة عن تعريفات وفوائد وتطبيقات النانوتكنولوجى بما فيها مجال النانو إلكترونات وكما يقدم الأنواع المختلفة من نبائط تكنولوجيا إختراق الإلكترون الواحد مثل النبيطة من نوع صندوق الإلكترون الواحد ونبيطة البوابه الحرجة الخطية.
• الفصل الثانى يقدم شرح لترانزستور الإلكترون الواحد وكيفية عمله فى دوائر النفى.
• الفصل الثالث يقدم شرح وتحليل مفصل لدوائر النفى ذات الإلكترون الواحد ويتضمن كيفية حسابات الطاقة المستهلكة وتأخر إشارات دوائر النفى ذات الإلكترون الواحد. ثم يتم تقليل تأخر إشارات دوائر النفى بناء على تحليل دائرة النفى ذات الإلكترون الواحد.
• الفصل الرابع يناقش كيفية تصميم البوابات المنطقية مثل بوابات الضرب والجمع ونفى الضرب ونفى الجمع بإستخدام نبيطة دوائر النفى ذات الإلكترون الواحد وأيضا تصميم بوابة الجمع متعددة أطراف الدخل بإستخدام البوابة الحرجة الخطية ذات الإلكترون الواحد.ويتضمن الفصل نتائج محاكاة هذه البوابات على الكمبيوتر بإستخدام برنامج سيمون2,0. وكذلك حسابات الطاقة المستهلكة وتأخر إشارات البوابات المصممة .
• الفصل الخامس يقدم كيفية تصميم دوائر واحد بت للجمع بإستخدام الدوائر المنطقية المعتمدة على دوائر النفى ذات الإلكترون الواحد. كما يتضمن الفصل نتائج محاكاة هذه الدوائر باستخدام برنامج سيمون2,0 وكذلك حسابات الطاقة المستهلكة وتأخر إشارات دوائر واحد بات للجمع. والمقارنة بين هذه الدوائر وما تم نشره سابقا.
• الفصل السادس يعرض خلاصة الرسالة وبعض المقترحات لأبحاث مستقبلية.