Search In this Thesis
   Search In this Thesis  
العنوان
Simulation of quantum transport in nanoscale devices /
الناشر
Yasser Mohammed Sabry Gad ,
المؤلف
Gad ,Yasser Mohammed Sabry
هيئة الاعداد
باحث / ياسر محمد صبرى جاد
مشرف / مجدى محمود محمد
مشرف / هانى فكرى رجائى
مناقش / سراج الدين السيد حبيب
مناقش / هشام سيد رمضان هدارة
الموضوع
Field Effect transistors.
تاريخ النشر
2009 .
عدد الصفحات
140 p. :
اللغة
الإنجليزية
الدرجة
ماجستير
التخصص
الهندسة الكهربائية والالكترونية
تاريخ الإجازة
1/1/2009
مكان الإجازة
جامعة عين شمس - كلية الهندسة - الكترونات و اتصالات
الفهرس
Only 14 pages are availabe for public view

from 185

from 185

Abstract

rapid device scaling pushes the dimension of the field effect transistors to the nanometer regime where quantum effects play an important role in determining the transistor characterisitics the non-equilibrium green`s function formalism (NEGF) provides a rigorous description of quantum transport in nanoscale devices the realspace (RS) representation is the most accurate yet complex representation used in the NEGF.